Wuxi NCE Power Semiconductor NCE12P09S دیتاشیت

NCE12P09S

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت NCE12P09S
حجم فایل 72.544 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 7

مشاهده دیتاشیت NCE12P09S

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: 1 Piece P-Channel
  • Category: Transistors/Thyristors/MOSFETs
  • Datasheet: Wuxi NCE Power Semiconductor NCE12P09S
  • Power Dissipation (Pd): 2.5W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): -
  • Drain Source Voltage (Vdss): 12V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): -
  • Continuous Drain Current (Id): -
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): -
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): -
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): -
  • Package: SOP-8

محصولات مشابه