NCE01P18D دیتاشیت

NCE01P18D

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت NCE01P18D
حجم فایل 80.877 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 8

مشاهده دیتاشیت NCE01P18D

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: P Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Wuxi NCE Power Semiconductor NCE01P18D
  • Operating Temperature: -55°C~+175°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 70W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 70nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 100V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 3.81nF@50V
  • Continuous Drain Current (Id): 18A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 1.9V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 125pF@50V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 85mΩ@10V,16A
  • Package: TO-263
  • Manufacturer: Wuxi NCE Power Semiconductor

محصولات مشابه