G26P04D5 دیتاشیت

G26P04D5

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت G26P04D5
حجم فایل 78.337 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 6

مشاهده دیتاشیت G26P04D5

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: P Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: GOFORD G26P04D5
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 50W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 45nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 40V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 2479pF@20V
  • Continuous Drain Current (Id): 26A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 2.5V@250uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 15mΩ
  • Package: DFN-8(5x6)
  • Manufacturer: GOFORD

محصولات مشابه