SI1965DH-T1-E3 دیتاشیت

SI1965DH-T1-E3

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت SI1965DH-T1-E3
حجم فایل 79.202 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 12

مشاهده دیتاشیت SI1965DH-T1-E3

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: 2 P-Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Vishay Intertech SI1965DH-T1-E3
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 1.25W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 4.2nC@8V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 12V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 120pF@6V
  • Continuous Drain Current (Id): 1.3A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 1V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): -
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 390mΩ@1A,4.5V
  • Package: SOT-363
  • Manufacturer: Vishay Intertech

محصولات مشابه