SEBT818BA دیتاشیت

SEBT818BA

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت SEBT818BA
حجم فایل 76.998 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 6

مشاهده دیتاشیت SEBT818BA

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/Bipolar Transistors - BJT
  • Datasheet: SINO-IC SEBT818BA
  • Transistor Type: PNP
  • Operating Temperature: +150°C@(Tj)
  • Collector Current (Ic): 3A
  • Power Dissipation (Pd): 1.2W
  • Transition Frequency (fT): -
  • DC Current Gain (hFE@Ic,Vce): 100@500mA,1V
  • Collector Cut-Off Current (Icbo): 100nA
  • Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo): 30V
  • Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib): 210mV@2A,20mA
  • Package: SOT-23-6
  • Manufacturer: SINO-IC

محصولات مشابه