EMX1FHAT2R دیتاشیت
مشخصات دیتاشیت
|
نام دیتاشیت
|
EMX1FHAT2R
|
|
حجم فایل
|
50.785
کیلوبایت
|
|
نوع فایل
|
pdf
|
|
تعداد صفحات
|
8
|
مشخصات فنی
-
RoHS:
true
-
Category:
Triode/MOS Tube/Transistor/Bipolar Transistors - BJT
-
Datasheet:
ROHM Semicon EMX1FHAT2R
-
Transistor Type:
2 NPN
-
Collector Current (Ic):
150mA
-
Power Dissipation (Pd):
150mW
-
Transition Frequency (fT):
180MHz
-
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce):
120@1mA,6V
-
Collector Cut-Off Current (Icbo):
100nA
-
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo):
50V
-
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib):
400mV@5mA,50mA
-
Package:
SOT-563
-
Manufacturer:
ROHM Semicon
