TPD60R1K4M دیتاشیت

TPD60R1K4M

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت TPD60R1K4M
حجم فایل 84.957 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 9

مشاهده دیتاشیت TPD60R1K4M

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: WUXI UNIGROUP MICRO TPD60R1K4M
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 28W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 7.1nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 600V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 231pF@100V
  • Continuous Drain Current (Id): 3A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 4V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 1.9pF@100V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 1.2Ω@10V,1.5A
  • Package: TO-252
  • Manufacturer: WUXI UNIGROUP MICRO

محصولات مشابه