NTS4101PT1G-VB دیتاشیت

NTS4101PT1G-VB

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت NTS4101PT1G-VB
حجم فایل 62.582 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 9

دانلود دیتاشیت NTS4101PT1G-VB

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: P Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: VBsemi Elec NTS4101PT1G-VB
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 500mW
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 2.7nC@2.5V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 20V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 272pF@10V
  • Continuous Drain Current (Id): 3.1A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 1.5V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 44pF@10V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 80mΩ@4.5V,1.4A
  • Package: SC-70-3
  • Manufacturer: VBsemi Elec

محصولات مشابه