P5803NAG-VB دیتاشیت

P5803NAG-VB

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت P5803NAG-VB
حجم فایل 72.634 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 10

مشاهده دیتاشیت P5803NAG-VB

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: 1PCSN-Channel&1PCSP-Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: VBsemi Elec P5803NAG-VB
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 1.15W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): -
  • Drain Source Voltage (Vdss): 20V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): -
  • Continuous Drain Current (Id): -
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): -
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): -
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 22mΩ@10V,2.5A;55mΩ@10V,1.8A
  • Package: TSOP-6-1.5mm
  • Manufacturer: VBsemi Elec

محصولات مشابه