TTB30P10AT دیتاشیت

TTB30P10AT

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت TTB30P10AT
حجم فایل 86.854 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 10

مشاهده دیتاشیت TTB30P10AT

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: P Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: WUXI UNIGROUP MICRO TTB30P10AT
  • Operating Temperature: -55°C~+175°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 136W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 140nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 100V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 2.513nF@50V
  • Continuous Drain Current (Id): 30A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 1.7V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 376pF@50V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 35mΩ@10V,15A
  • Package: TO-263
  • Manufacturer: WUXI UNIGROUP MICRO

محصولات مشابه