HG4953M/TR دیتاشیت

HG4953M/TR

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت HG4953M/TR
حجم فایل 73.756 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 7

دانلود دیتاشیت HG4953M/TR

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: 2 P-Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: HGSEMI HG4953M/TR
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 2W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 11.6nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 30V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 625pF@15V
  • Continuous Drain Current (Id): 4.9A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 1.5V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 60pF@15V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 53mΩ@10V,4.9A
  • Package: SOP-8
  • Manufacturer: HGSEMI

محصولات مشابه