- صفحه اصلی
- دانلود دیتاشیت
- دیتاشیت HSP200N02
HSP200N02 دیتاشیت
مشخصات دیتاشیت
| نام دیتاشیت | HSP200N02 |
|---|---|
| حجم فایل | 74.272 کیلوبایت |
| نوع فایل | |
| تعداد صفحات | 5 |
دانلود دیتاشیت HSP200N02 |
دانلود دیتاشیت |
|---|
سایر مستندات
مستندات دیگری یافت نشد!
مشخصات فنی
- RoHS: true
- Type: N Channel
- Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
- Datasheet: HUASHUO HSP200N02
- Power Dissipation (Pd): 200W
- Drain Source Voltage (Vdss): 200V
- Continuous Drain Current (Id): 70A
- Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 5V@250uA
- Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 33mΩ@10V,60A
- Package: TO-220
- Manufacturer: HUASHUO