MMBTA 06 LT1 数据手册

MMBTA 06 LT1

数据手册规格

数据手册名称 MMBTA 06 LT1
文件大小 68.094 千字节
文件类型 pdf
页数 7

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技术规格

  • RoHS: true
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/Bipolar Transistors - BJT
  • Datasheet: Infineon Technologies MMBTA 06 LT1
  • Transistor Type: NPN
  • Collector Current (Ic): 500mA
  • Power Dissipation (Pd): 225mW
  • Transition Frequency (fT): 100MHz
  • DC Current Gain (hFE@Ic,Vce): 100@100mA,1V
  • Collector Cut-Off Current (Icbo): 100nA
  • Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo): 80V
  • Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib): 250mV@10mA,100mA
  • Package: SOT-23
  • Manufacturer: Infineon Technologies

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