IMZ1AT108 دیتاشیت

IMZ1AT108

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت IMZ1AT108
حجم فایل 72.222 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 13

مشاهده دیتاشیت IMZ1AT108

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/Bipolar Transistors - BJT
  • Datasheet: ROHM Semicon IMZ1AT108
  • Transistor Type: 1PCSNPN&1PCSPNP
  • Operating Temperature: +150°C@(Tj)
  • Collector Current (Ic): 150mA
  • Power Dissipation (Pd): 300mW
  • Transition Frequency (fT): 180MHz;140MHz
  • DC Current Gain (hFE@Ic,Vce): 120@1mA,6V
  • Collector Cut-Off Current (Icbo): 100nA
  • Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo): 50V
  • Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib): 100mV@50mA,5mA;150mV@50mA,5mA
  • Package: SOT-23-6
  • Manufacturer: ROHM Semicon

محصولات مشابه