SI2301A دیتاشیت
مشخصات دیتاشیت
|
نام دیتاشیت
|
SI2301A
|
|
حجم فایل
|
51.55
کیلوبایت
|
|
نوع فایل
|
pdf
|
|
تعداد صفحات
|
3
|
مشخصات فنی
-
RoHS:
true
-
Type:
P Channel
-
Category:
Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
-
Datasheet:
UMW(Youtai Semiconductor Co., Ltd.) SI2301A
-
Power Dissipation (Pd):
400mW
-
Total Gate Charge (Qg@Vgs):
10nC@4.5V
-
Drain Source Voltage (Vdss):
20V
-
Input Capacitance (Ciss@Vds):
405pF@10V
-
Continuous Drain Current (Id):
2.8A
-
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id):
1V@250uA
-
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id):
142mΩ@2.5V,2A
-
Package:
SOT-23(TO-236)
-
Manufacturer:
UMW(Youtai Semiconductor Co., Ltd.)
