RQ1E070RPTR دیتاشیت

RQ1E070RPTR

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت RQ1E070RPTR
حجم فایل 69.472 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 14

مشاهده دیتاشیت RQ1E070RPTR

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: P Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: ROHM Semicon RQ1E070RPTR
  • Power Dissipation (Pd): 550mW
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 26nC@5V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 30V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 2700pF@10V
  • Continuous Drain Current (Id): 7A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 2.5V@1mA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 17mΩ@7A,10V
  • Package: TSMT-8
  • Manufacturer: ROHM Semicon

محصولات مشابه