NCE30NP1812K دیتاشیت

NCE30NP1812K

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت NCE30NP1812K
حجم فایل 79.38 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 10

مشاهده دیتاشیت NCE30NP1812K

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: 1PCSN-Channel&1PCSP-Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Wuxi NCE Power Semiconductor NCE30NP1812K
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 25W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 14.7nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 30V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 519.9pF@15V
  • Continuous Drain Current (Id): -
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 1.5V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 49.3pF@15V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 36mΩ@10V,10A
  • Package: TO-252-4
  • Manufacturer: Wuxi NCE Power Semiconductor

محصولات مشابه