SIHP17N80E-GE3 دیتاشیت

SIHP17N80E-GE3

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت SIHP17N80E-GE3
حجم فایل 89.466 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 7

مشاهده دیتاشیت SIHP17N80E-GE3-Isee

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Vishay Intertech SIHP17N80E-GE3
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 208W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 122nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 800V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 2408pF@100V
  • Continuous Drain Current (Id): 15A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 4V@250uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 290mΩ@10V,8.5A
  • Package: TO-220
  • Manufacturer: Vishay Intertech

محصولات مشابه