دیتاشیت SI4431CDY-T1-E3-VB
مشخصات دیتاشیت
| نام دیتاشیت | SI4431CDY-T1-E3-VB |
|---|---|
| حجم فایل | 69.575 کیلوبایت |
| نوع فایل | |
| تعداد صفحات | 9 |
دانلود دیتاشیت SI4431CDY-T1-E3-VB |
SI4431CDY-T1-E3-VB Datasheet |
|---|
مشخصات
- RoHS: true
- Type: P Channel
- Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
- Datasheet: VBsemi Elec SI4431CDY-T1-E3-VB
- Power Dissipation (Pd): 4.2W
- Drain Source Voltage (Vdss): 30V
- Continuous Drain Current (Id): 9A
- Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 2.5V@250uA
- Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 18mΩ@10V,7A
- Package: SOP-8
- Manufacturer: VBsemi Elec
