NTTFD2D8N03P1E دیتاشیت

NTTFD2D8N03P1E

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت NTTFD2D8N03P1E
حجم فایل 106.942 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 11

مشاهده دیتاشیت NTTFD2D8N03P1E-Isee

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: 2 N-Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: onsemi NTTFD2D8N03P1E
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 1.04W;26W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 20.8nC@10V;20.5nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 30V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 1500pF@15V;1521pF@15V
  • Continuous Drain Current (Id): 16.1A;80A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 3V@400uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 2.5mΩ@18A,10V
  • Package: WQFN-12(3.3x3.3)
  • Manufacturer: onsemi

محصولات مشابه