KSI2301CDS-T1-GE3 دیتاشیت

KSI2301CDS-T1-GE3

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت KSI2301CDS-T1-GE3
حجم فایل 85.474 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 2

مشاهده دیتاشیت KSI2301CDS-T1-GE3-Isee

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: P Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: KUU KSI2301CDS-T1-GE3
  • Operating Temperature: +150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 1.25W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 5.5nC@4.5V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 20V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 589pF@16V
  • Continuous Drain Current (Id): 3A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 1V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 68pF@16V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 66mΩ@4.5V,2.8A
  • Package: SOT-23-3L
  • Manufacturer: KUU

محصولات مشابه