NTMFS4D2N10MDT1G دیتاشیت

NTMFS4D2N10MDT1G

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت NTMFS4D2N10MDT1G
حجم فایل 50.018 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 8

مشاهده دیتاشیت NTMFS4D2N10MDT1G

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: onsemi NTMFS4D2N10MDT1G
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 132W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 25nC@6V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 100V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 3.1nF@50V
  • Continuous Drain Current (Id): 113A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 4V@239uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 23pF@50V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 3.8mΩ@10V,46A
  • Package: DFN-5(5x6)
  • Manufacturer: onsemi

محصولات مشابه