GOFORD G03N10 دیتاشیت
مشخصات دیتاشیت
|
نام دیتاشیت
|
G03N10
|
|
حجم فایل
|
69.834
کیلوبایت
|
|
نوع فایل
|
pdf
|
|
تعداد صفحات
|
3
|
مشخصات فنی
-
RoHS:
true
-
Type:
1 N-Channel
-
Category:
Transistors/Thyristors/MOSFETs
-
Datasheet:
GOFORD G03N10
-
Operating Temperature:
-55°C~+150°C@(Tj)
-
Power Dissipation (Pd):
500mW
-
Total Gate Charge (Qg@Vgs):
15.5nC@10V
-
Drain Source Voltage (Vdss):
100V
-
Input Capacitance (Ciss@Vds):
690pF@25V
-
Continuous Drain Current (Id):
3A
-
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id):
2V@250uA
-
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds):
90pF@25V
-
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id):
140mΩ@10V,5A
-
Package:
SOT-89-3L
