GOFORD G03N10 دیتاشیت

G03N10

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت G03N10
حجم فایل 69.834 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 3

دانلود دیتاشیت G03N10

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: 1 N-Channel
  • Category: Transistors/Thyristors/MOSFETs
  • Datasheet: GOFORD G03N10
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 500mW
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 15.5nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 100V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 690pF@25V
  • Continuous Drain Current (Id): 3A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 2V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 90pF@25V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 140mΩ@10V,5A
  • Package: SOT-89-3L

محصولات مشابه