DGTD65T40S2PT دیتاشیت

DGTD65T40S2PT

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت DGTD65T40S2PT
حجم فایل 73.498 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 9

مشاهده دیتاشیت DGTD65T40S2PT-Isee

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: Field Stop
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/IGBTs
  • Datasheet: Diodes Incorporated DGTD65T40S2PT
  • Operating Temperature: 40°C~+175°C@(Tj)
  • Collector Current (Ic): 80A
  • Power Dissipation (Pd): 230W
  • Turn?on Delay Time (Td(on)): 6ns
  • Input Capacitance (Cies@Vce): 1.565nF@25V
  • Turn?on Switching Loss (Eon): 0.5mJ
  • Diode Forward Voltage (Vf@If): 1.5V@20A
  • Total Gate Charge (Qg@Ic,Vge): 60nC
  • Turn?off Delay Time (Td(off)): 55ns
  • Pulsed Collector Current (Icm): 120A
  • Turn?off Switching Loss (Eoff): 0.4mJ
  • Diode Reverse Recovery Time (Trr): 60ns
  • Collector Cut-Off Current (Ices@Vce): 40uA@650V
  • Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vces): 650V
  • Gate-Emitter Threshold Voltage (Vge(th)@Ic): 2.3V@15V,40A
  • Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Vge): 1.8V@40A,15V
  • Package: TO-247-3
  • Manufacturer: Diodes Incorporated

محصولات مشابه