onsemi MUN5311DW1T2G دیتاشیت

NSBC114EPDP6T5G

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت NSBC114EPDP6T5G
حجم فایل 89.763 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 14

مشاهده دیتاشیت NSBC114EPDP6T5G-Isee

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • type: NPN+PNP
  • Number: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP Pre-Biased
  • Input Resistor: 13kΩ
  • Resistor Ratio: 1
  • DC Current Gain: 35
  • Operating Temperature: -55℃~+150℃
  • Output Voltage(VO(on)): 200mV
  • Pd - Power Dissipation: 250mW
  • Current - Collector(Ic): 100mA
  • Vce Saturation(VCE(sat)): 250mV
  • Current - Collector Cutoff: 100nA
  • Input Voltage (VI(on)@Ic,Vce): 2V
  • Voltage - Input(Max)(VI(off)): 1.2V
  • Collector - Emitter Voltage VCEO: 50V
  • Package: SOT-363