PUMD12,115 دیتاشیت

PUMD12,115

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت PUMD12,115
حجم فایل 51.873 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 17

مشاهده دیتاشیت PUMD12,115

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/Digital Transistors
  • Datasheet: Nexperia PUMD12,115
  • Input Resistor: 10kΩ
  • Resistor Ratio: 4.7
  • Transistor Type: 1 NPN - Pre-Biased,1 PNP - Pre-Biased
  • Operating Temperature: +150°C@(Tj)
  • Collector Current (Ic): 100mA
  • Power Dissipation (Pd): 300mW
  • Transition Frequency (fT): 180MHz
  • DC Current Gain (hFE@Ic,Vce): 100@5mA,5V
  • Input Voltage (VI(on)@Ic,Vce): 0.8V@1mA,0.3V
  • Output Voltage (VO(on)@Io/Ii): -
  • Input Voltage (VI(off)@Ic,Vce): 0.7V@100uA,5V
  • Collector Cut-Off Current (Icbo): 100nA
  • Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo): 50V
  • Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib): 100mV@5mA,0.25mA
  • Package: SOT-323-6
  • Manufacturer: Nexperia

محصولات مشابه