ASDM40N60KQ-R دیتاشیت

ASDM40N60KQ-R

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت ASDM40N60KQ-R
حجم فایل 63.668 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 8

مشاهده دیتاشیت ASDM40N60KQ-R

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Ascend ASDM40N60KQ-R
  • Operating Temperature: -55°C~+175°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 65W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 29nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 40V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 1800pF@20V
  • Continuous Drain Current (Id): 60A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 1.6V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 190pF@20V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 5.8mΩ@10V,20A
  • Package: TO-252-3
  • Manufacturer: Ascend

محصولات مشابه