APG042N01D دیتاشیت

ALLPOWER APG042N01D

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت ALLPOWER APG042N01D
حجم فایل 69.926 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 7

مشاهده دیتاشیت ALLPOWER APG042N01D

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: ALLPOWER(ShenZhen Quan Li Semiconductor) APG042N01D
  • Operating Temperature: +150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 215W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 48.5nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 100V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 5.678nF@50V
  • Continuous Drain Current (Id): 145A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 3V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 27pF@50V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 3.7mΩ@10V,70A
  • Package: TO-263
  • Manufacturer: ALLPOWER(ShenZhen Quan Li Semiconductor)

محصولات مشابه