دیتاشیت MMBT3906G-AE3-R

MMBT3906G-AE3-R

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت MMBT3906G-AE3-R
حجم فایل 48.074 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 3

دانلود دیتاشیت MMBT3906G-AE3-R

MMBT3906G-AE3-R Datasheet

مشخصات

  • RoHS: true
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/Bipolar Transistors - BJT
  • Datasheet: UTC(Unisonic Tech) MMBT3906G-AE3-R
  • Transistor Type: PNP
  • Operating Temperature: +150°C@(Tj)
  • Collector Current (Ic): 200mA
  • Power Dissipation (Pd): 350mW
  • Transition Frequency (fT): 250MHz
  • DC Current Gain (hFE@Ic,Vce): 100@10mA,1V
  • Collector Cut-Off Current (Icbo): -
  • Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo): 40V
  • Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib): 400mV@50mA,5mA
  • Package: SOT-23
  • Manufacturer: UTC(Unisonic Tech)