DXT2012P5-13 دیتاشیت

DXT2012P5-13

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت DXT2012P5-13
حجم فایل 65.218 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 7

مشاهده دیتاشیت DXT2012P5-13

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/Bipolar Transistors - BJT
  • Datasheet: Diodes Incorporated DXT2012P5-13
  • Transistor Type: PNP
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Collector Current (Ic): 5.5A
  • Power Dissipation (Pd): 3.2W
  • Transition Frequency (fT): 120MHz
  • DC Current Gain (hFE@Ic,Vce): 100@2A,1V
  • Collector Cut-Off Current (Icbo): 1nA
  • Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo): 60V
  • Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib): 195mV@5A,500mA
  • Package: PowerDI-5
  • Manufacturer: Diodes Incorporated

محصولات مشابه