TPW65R090M دیتاشیت

TPW65R090M

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت TPW65R090M
حجم فایل 73.618 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 8

مشاهده دیتاشیت TPW65R090M

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: WUXI UNIGROUP MICRO TPW65R090M
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 391W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 75nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 650V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 3.37nF@100V
  • Continuous Drain Current (Id): 47A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 4.5V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 2.5pF@100V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 79mΩ@10V,24A
  • Package: TO-247
  • Manufacturer: WUXI UNIGROUP MICRO

محصولات مشابه