G86N06K دیتاشیت
مشخصات دیتاشیت
|
نام دیتاشیت
|
G86N06K
|
|
حجم فایل
|
80.325
کیلوبایت
|
|
نوع فایل
|
pdf
|
|
تعداد صفحات
|
6
|
مشخصات فنی
-
RoHS:
true
-
Type:
N Channel
-
Category:
Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
-
Datasheet:
GOFORD G86N06K
-
Operating Temperature:
-55°C~+175°C@(Tj)
-
Power Dissipation (Pd):
88W
-
Total Gate Charge (Qg@Vgs):
77nC@10V
-
Drain Source Voltage (Vdss):
60V
-
Input Capacitance (Ciss@Vds):
2860pF@25V
-
Continuous Drain Current (Id):
68A
-
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id):
4V@250uA
-
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id):
7.5mΩ
-
Package:
TO-252
-
Manufacturer:
GOFORD
