HXY20N10D دیتاشیت

HXY20N10D

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت HXY20N10D
حجم فایل 72.815 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 6

مشاهده دیتاشیت HXY20N10D

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: HXY MOSFET HXY20N10D
  • Drain Source Voltage (Vdss): 100V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 1530pF@25V
  • Continuous Drain Current (Id): 20A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 2.5V@250uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 70mΩ@10V,5A
  • Package: TO-252
  • Manufacturer: HXY MOSFET

محصولات مشابه