SISA96DN-T1-GE3 دیتاشیت

SISA96DN-T1-GE3

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت SISA96DN-T1-GE3
حجم فایل 103.996 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 7

مشاهده دیتاشیت SISA96DN-T1-GE3

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Vishay Intertech SISA96DN-T1-GE3
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 26.5W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 15nC@4.5V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 30V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 1385pF@15V
  • Continuous Drain Current (Id): 16A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 2.2V@250uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 8.8mΩ@10V,10A
  • Package: PowerPAK1212-8
  • Manufacturer: Vishay Intertech

محصولات مشابه