HSBA100P04 دیتاشیت

HSBA100P04

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت HSBA100P04
حجم فایل 77.135 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 5

مشاهده دیتاشیت HSBA100P04

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: P Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: HUASHUO HSBA100P04
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 52.1W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 115nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 40V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 7090pF@20V
  • Continuous Drain Current (Id): 100A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 1.8V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 722pF@20V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 4.6mΩ@10V,20A
  • Package: PRPAK(5x6)
  • Manufacturer: HUASHUO

محصولات مشابه