دیتاشیت NTE4153NT1G
مشخصات دیتاشیت
| نام دیتاشیت |
NTE4153NT1G
|
| حجم فایل |
92.85
کیلوبایت
|
| نوع فایل |
pdf
|
| تعداد صفحات |
6
|
مشخصات
-
RoHS:
true
-
Type:
N Channel
-
Category:
Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
-
Datasheet:
onsemi NTE4153NT1G
-
Operating Temperature:
-55°C~+150°C@(Tj)
-
Power Dissipation (Pd):
300mW
-
Total Gate Charge (Qg@Vgs):
1.82nC@4.5V
-
Drain Source Voltage (Vdss):
20V
-
Input Capacitance (Ciss@Vds):
110pF@16V
-
Continuous Drain Current (Id):
915mA
-
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id):
1.1V@250uA
-
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id):
230mΩ@4.5V,600mA
-
Package:
SC-89
-
Manufacturer:
onsemi
