MATSUKI MEE15N10 دیتاشیت

MEE15N10

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت MEE15N10
حجم فایل 78.559 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 5

مشاهده دیتاشیت MEE15N10

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • Type: N-Channel
  • Number: 1 N-Channel
  • Package: TO-252
  • RDS(on): 100mΩ@10V
  • Category: Transistors/Thyristors/MOSFETs
  • Manufacturer: MATSUKI
  • Gate Charge(Qg): 15.5nC@10V
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C
  • Pd - Power Dissipation: 62.5W
  • Drain to Source Voltage: 100V
  • Input Capacitance(Ciss): 314pF@15V
  • Current - Continuous Drain(Id): 19.8A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)): 3V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 15pF

محصولات مشابه