NCEP85T12D دیتاشیت

NCEP85T12D

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت NCEP85T12D
حجم فایل 79.097 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 7

مشاهده دیتاشیت NCEP85T12D

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Wuxi NCE Power Semiconductor NCEP85T12D
  • Operating Temperature: -55°C~+175°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 160W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 55nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 85V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 4.3nF@40V
  • Continuous Drain Current (Id): 120A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 3.3V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 57pF@40V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 5.5mΩ@10V,60A
  • Package: TO-263-3
  • Manufacturer: Wuxi NCE Power Semiconductor

محصولات مشابه