G4N60K دیتاشیت

G4N60K

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت G4N60K
حجم فایل 69.363 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 7

مشاهده دیتاشیت G4N60K

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: GOFORD G4N60K
  • Power Dissipation (Pd): 44.6W
  • Drain Source Voltage (Vdss): 600V
  • Continuous Drain Current (Id): 4A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 4V@250uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 2.3Ω@10V,2A
  • Package: TO-252
  • Manufacturer: GOFORD

محصولات مشابه