BSP300H6327XUSA1 دیتاشیت

BSP300H6327XUSA1

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت BSP300H6327XUSA1
حجم فایل 60.637 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 9

مشاهده دیتاشیت BSP300H6327XUSA1-Isee

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Infineon Technologies BSP300H6327XUSA1
  • Power Dissipation (Pd): 1.8W
  • Drain Source Voltage (Vdss): 800V
  • Continuous Drain Current (Id): 190mA
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 4V@1mA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 20Ω@10V,190mA
  • Package: SOT-223-4
  • Manufacturer: Infineon Technologies

محصولات مشابه