SVF6N60D دیتاشیت

SVF6N60D

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت SVF6N60D
حجم فایل 71.444 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 9

مشاهده دیتاشیت SVF6N60D

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Hangzhou Silan Microelectronics SVF6N60D
  • Power Dissipation (Pd): 125W
  • Drain Source Voltage (Vdss): 600V
  • Continuous Drain Current (Id): 6A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 4V@250uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 1.5Ω@10V,3A
  • Package: TO-252-2(DPAK)
  • Manufacturer: Hangzhou Silan Microelectronics

محصولات مشابه