HYG050N08NS1B دیتاشیت

HYG050N08NS1P

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت HYG050N08NS1P
حجم فایل 65.119 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 10

مشاهده دیتاشیت HYG050N08NS1P-Isee

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: HUAYI HYG050N08NS1B
  • Operating Temperature: -55°C~+175°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 187.5W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 68nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 80V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 4.28nF@25V
  • Continuous Drain Current (Id): 130A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 3V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 25pF@25V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 4mΩ@10V,50A
  • Package: TO-263
  • Manufacturer: HUAYI

محصولات مشابه