دیتاشیت MMBT9015G-C-AE3-R

MMBT9015G-C-AE3-R

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت MMBT9015G-C-AE3-R
حجم فایل 43.899 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 3

دانلود دیتاشیت MMBT9015G-C-AE3-R

MMBT9015G-C-AE3-R Datasheet

مشخصات

  • RoHS: true
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/Bipolar Transistors - BJT
  • Datasheet: UTC(Unisonic Tech) MMBT9015G-C-AE3-R
  • Transistor Type: PNP
  • Operating Temperature: +150°C@(Tj)
  • Collector Current (Ic): 100mA
  • Power Dissipation (Pd): 225mW
  • Transition Frequency (fT): 190MHz
  • DC Current Gain (hFE@Ic,Vce): 200@1mA,5V
  • Collector Cut-Off Current (Icbo): 50nA
  • Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo): 45V
  • Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib): 200mV@100mA,5mA
  • Package: SOT-23
  • Manufacturer: UTC(Unisonic Tech)