HXY30P02DF دیتاشیت

HXY30P02DF

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت HXY30P02DF
حجم فایل 65.921 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 6

مشاهده دیتاشیت HXY30P02DF

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: P Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: HXY MOSFET HXY30P02DF
  • Drain Source Voltage (Vdss): 20V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 2800pF@15V
  • Continuous Drain Current (Id): 30A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 1V@250uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 15mΩ@4.5V,10A
  • Package: DFN-8L(3x3)
  • Manufacturer: HXY MOSFET

محصولات مشابه