HT100NF80ASZ دیتاشیت

HT100NF80ASZ

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت HT100NF80ASZ
حجم فایل 68.884 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 5

مشاهده دیتاشیت HT100NF80ASZ

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: HTCSEMI HT100NF80ASZ
  • Operating Temperature: +150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 173W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 80nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 80V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 2600pF@25V
  • Continuous Drain Current (Id): 100A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 4V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 210pF@25V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 0.008Ω@10V,37.5A
  • Package: TO-263
  • Manufacturer: HTCSEMI

محصولات مشابه