Shenzhen ruichips Semicon RU30L30M3 دیتاشیت

RU30L30M3

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت RU30L30M3
حجم فایل 76.573 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 8

مشاهده دیتاشیت RU30L30M3

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Category: Transistors/Thyristors/MOSFETs
  • Datasheet: Shenzhen ruichips Semicon RU30L30M3
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C
  • Power Dissipation (Pd): 3.5W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 42nC
  • Drain Source Voltage (Vdss): 30V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 2.3nF
  • Continuous Drain Current (Id): 30A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 1V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 160pF@15V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 10mΩ@10V,30A
  • Package: DFN-8(3x3)

محصولات مشابه