دیتاشیت IPB180N03S4L-H0
مشخصات دیتاشیت
| نام دیتاشیت | IPB180N03S4L-H0 |
|---|---|
| حجم فایل | 61.012 کیلوبایت |
| نوع فایل | |
| تعداد صفحات | 9 |
دانلود دیتاشیت IPB180N03S4L-H0 |
IPB180N03S4L-H0 Datasheet |
|---|
مشخصات
- RoHS: true
- Type: N Channel
- Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
- Datasheet: Infineon Technologies IPB180N03S4L-H0
- Power Dissipation (Pd): 250W
- Drain Source Voltage (Vdss): 30V
- Continuous Drain Current (Id): 180A
- Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 2.2V@200uA
- Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 0.95mΩ@10V,100A
- Package: TO-263-7
- Manufacturer: Infineon Technologies
