Wuxi NCE Power Semiconductor NCE40P13S دیتاشیت

NCE40P13S

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت NCE40P13S
حجم فایل 78.048 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 7

مشاهده دیتاشیت NCE40P13S-Isee

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: 1 Piece P-Channel
  • Category: Transistors/Thyristors/MOSFETs
  • Datasheet: Wuxi NCE Power Semiconductor NCE40P13S
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C
  • Power Dissipation (Pd): 2.5W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 40nC@20V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 40V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 2.8nF@20V
  • Continuous Drain Current (Id): 13A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 2V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 220pF
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 15mΩ@10V
  • Package: SOP-8