HSBA4909 دیتاشیت

HSBA4909

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت HSBA4909
حجم فایل 82.285 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 7

مشاهده دیتاشیت HSBA4909

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: 1PCSN-Channel&1PCSP-Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: HUASHUO HSBA4909
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 36W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 19nC@4.5V;29nC@4.5V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 40V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 2.333nF@15V;3.5nF@15V
  • Continuous Drain Current (Id): 15A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 1.5V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 136pF@15V;222pF@15V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 8mΩ@10V,12A;13mΩ@10V,8A
  • Package: DFN-8(5x6)
  • Manufacturer: HUASHUO

محصولات مشابه